SQ3493EV-T1_GE3

Name: Vishay Siliconix SQ3493EV-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.7 (13 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Date Sheet

Lagernummer 3382

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Поставщик упаковки устройства：6-TSOP
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V, 4.5V
Максимальная мощность рассеяния：5W (Tc)
Основной номер продукта：SQ3493
Прямоходящий ток вывода Id：8
Число элементов на чипе：1
Формат упаковки：TSOP-6
Квалификация：AEC-Q101
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：20 V
Время типичного задержки включения：18 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：600 mV
Распад мощности：5 W
Полярность транзистора：P-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 12 V, + 12 V
Вес единицы：0.000705 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：SQ3493EV
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：22.7 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：21 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：54 ns
Id - Непрерывный ток разряда：8 A
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：6
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：5
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：21mOhm @ 5A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3300 pF @ 10 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：34 nC @ 4.5 V
Время подъема：41 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20 V
Угол настройки (макс.)：±12V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 P-Channel
Канальный тип：P
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 3382

Итого $0.00000