(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IMBG120R090M1HXTMA1
Изображение служит лишь для справки
IMBG120R090M1HXTMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Date Sheet
Lagernummer 614
- 1+： $6.03438
- 10+： $5.69281
- 100+： $5.37058
- 500+： $5.06658
- 1000+： $4.77980
Zwischensummenbetrag $6.03438
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO263-7-12
- Mfr：Infineon Technologies
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：26A (Tc)
- Максимальная мощность рассеяния：136W (Tc)
- Основной номер продукта：IMBG120
- Прямоходящий ток вывода Id：26
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1.2 kV
- Время типичного задержки включения：7.9 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：5.7 V
- Распад мощности：136 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 7 V, + 23 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：1000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс：4.7 S
- Режим канала：Enhancement
- Партийные обозначения：IMBG120R090M1H SP004463788
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот：23 nC
- Торговое наименование：CoolSiC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：125 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：18 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：26 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：136
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：125mOhm @ 8.5A, 18V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5.7V @ 3.7mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：763 pF @ 800 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：23 nC @ 18 V
- Время подъема：3.1 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200 V
- Угол настройки (макс.)：+18V, -15V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：Standard
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 614
- 1+： $6.03438
- 10+： $5.69281
- 100+： $5.37058
- 500+： $5.06658
- 1000+： $4.77980
Итого $6.03438
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
