Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TKR74F04PB,LXGQ
Изображение служит лишь для справки
TKR74F04PB,LXGQ
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 40V 250A TO220SM
- Date Sheet
Lagernummer 5148
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства:TO-220SM(W)
- Mfr:Toshiba Semiconductor and Storage
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:250A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):6V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:375W (Tc)
- Основной номер продукта:TKR74F04
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:40 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:3 V
- Распад мощности:375 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:227 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:740 uOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:250 A
- Серия:U-MOSIX-H
- Рабочая температура:175°C
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:0.74mOhm @ 125A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:14200 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:227 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):40 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 5148
Итого $0.00000