SIA938DJT-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SIA938DJT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 5 (6 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
-
DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 17612

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Основной номер продукта：SIA938
Число элементов на чипе：2
Формат упаковки：PowerPAK SC-70-6L Dual
Режим канала：Enhancement
Квалификация：-
Полярность транзистора：N Channel
Прямоходящий ток вывода Id：4.5A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：20 V
Время типичного задержки включения：6 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.5 V
Распад мощности：7.8 W
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 8 V, + 12 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：3.5 nC
Торговое наименование：TrenchFET
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：21.5 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：16 ns
Id - Непрерывный ток разряда：4.5 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Тип：Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Число контактов：8
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Мощность - Макс：1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：21.5mOhm @ 5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：425pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：11.5nC @ 10V
Время подъема：5 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：Standard
Продукт：MOSFET
Категория продукта：MOSFET

Со склада 17612

Итого $0.00000