Изображение служит лишь для справки
2SCR587D3TL1
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TRANS NPN 120V 3A TO252
Date Sheet
Lagernummer 2376
- 1+： $0.42958
- 10+： $0.40527
- 100+： $0.38233
- 500+： $0.36069
- 1000+： $0.34027
Zwischensummenbetrag $0.42958
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства：TO-252
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：3 A
- Эмиттер-основное напряжение：6(V)
- Классификация Температурной Выносливости：Military
- Формат упаковки：DPAK
- Полярность транзистора：NPN
- Токовая напряжение коллектора-эммитера：120(V)
- Категория：Bipolar Power
- Диапазон рабочей температуры：-55C to 150C
- Коллекторный ток (постоянный)：3(A)
- Количество элементов：1
- Квантовозащитный：No
- Уголок постоянного тока：120@100MA@5V
- Монтаж：Surface Mount
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：120 V
- Максимальный постоянный ток сбора：3 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока：120
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
- Распад мощности：10 W
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Минимальная температура работы：-
- Пакетная партия производителя：2500
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：250 MHz
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：390 at 100 mA, 5 V
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：120 V
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Пакетирование：Tape and Reel
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Частота：250(MHz)
- Число контактов：2 +Tab
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：10(W)
- Выводная мощность：Not Required(W)
- Мощность - Макс：10 W
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора：NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 100mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：120mV @ 100mA, 1A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：120 V
- Частота перехода：250MHz
- Частота - Переход：250MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：120 V
- Прямоходящий ток коллектора：3A
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Со склада 2376
- 1+： $0.42958
- 10+： $0.40527
- 100+： $0.38233
- 500+： $0.36069
- 1000+： $0.34027
Итого $0.42958
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты