IAUC100N04S6L014ATMA1

Name: Infineon Technologies IAUC100N04S6L014ATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (19 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerTDFN
IAUC100N04S6L014ATMA1
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：16 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Поставщик упаковки устройства：PG-TDSON-8
Mfr：Infineon Technologies
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：100W (Tc)
Основной номер продукта：IAUC100
Прямоходящий ток вывода Id：100
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：AEC-Q101
Число элементов на чипе：1
Формат упаковки：SuperSO8 5 x 6
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
Время типичного задержки включения：5 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.6 V
Распад мощности：100 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 16 V, + 16 V
Вес единицы：0.003966 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：5000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：IAUC100N04S6L014 SP001700120
Производитель：Infineon
Бренд：Infineon Technologies
Зарядная характеристика ворот：49 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.52 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：25 ns
Id - Непрерывный ток разряда：100 A
Описание пакета：,
Уровни чувствительности к влажности：1
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：IAUC100N04S6L014ATMA1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Ранг риска：1.62
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：MOSFETs
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：8
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：100
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.4mOhm @ 50A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 50μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3935 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：65 nC @ 10 V
Время подъема：12 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
Угол настройки (макс.)：±16V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Канальный тип：N Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 0

Итого $0.00000