Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные ISC007N04NM6ATMA1
Изображение служит лишь для справки
ISC007N04NM6ATMA1
- Infineon Technologies
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- TRENCH <= 40V
- Date Sheet
Lagernummer 5006
- 1+: $1.03904
- 10+: $0.98022
- 100+: $0.92474
- 500+: $0.87240
- 1000+: $0.82302
Zwischensummenbetrag $1.03904
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerTDFN
- Поставщик упаковки устройства:PG-TDSON-8 FL
- Mfr:Infineon Technologies
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:48A (Ta), 381A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):6V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:3W (Ta), 188W (Tc)
- Основной номер продукта:ISC007N
- Прямоходящий ток вывода Id:381
- Число элементов на чипе:1
- Формат упаковки:SuperSO8 5 x 6
- Квалификация:-
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:40 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.8 V
- Распад мощности:188 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:94 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:700 uOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:381 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Число контактов:8
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:188
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:0.7mOhm @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.8V @ 1.05mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:8400 pF @ 20 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:117 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):40 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Канальный тип:N
- Характеристика ТРП:-
Со склада 5006
- 1+: $1.03904
- 10+: $0.98022
- 100+: $0.92474
- 500+: $0.87240
- 1000+: $0.82302
Итого $1.03904