NTBGS004N10G

Name: onsemi NTBGS004N10G
Brand: onsemi
Rating: 4.5 (15 reviews)

onsemi
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS
Date Sheet

Lagernummer 521

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
Поставщик упаковки устройства：D2PAK (TO-263)
Mfr：onsemi
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：21A (Ta), 203A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：3.7W (Ta), 340W (Tc)
Число элементов на чипе：1
Формат упаковки：D2PAK (TO-263)
Режим канала：Enhancement
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Прямоходящий ток вывода Id：203A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：340 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：800
Монтажные варианты：SMD/SMT
Производитель：onsemi
Бренд：onsemi
Зарядная характеристика ворот：178 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：4.1 mOhms
РХОС：N
Id - Непрерывный ток разряда：203 A
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：7
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：340W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.1mOhm @ 100A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 500μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：12100 pF @ 50 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：178 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 521

Итого $0.00000