SQW33N65EF-GE3

Name: Vishay Siliconix SQW33N65EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.9 (12 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-247-3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Date Sheet

Lagernummer 391

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-247-3
Поставщик упаковки устройства：TO-247AD
Mfr：Vishay Siliconix
Пакет：Bulk
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：34A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：375W (Tc)
Прямоходящий ток вывода Id：34
Число элементов на чипе：2
Формат упаковки：TO-247AD
Режим канала：Enhancement
Квалификация：AEC-Q101
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：700 V
Время типичного задержки включения：64 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：375 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 30 V, + 30 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：480
Монтажные варианты：Through Hole
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：173 nC
Торговое наименование：TrenchFET
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：109 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：201 ns
Id - Непрерывный ток разряда：34 A
Серия：Automotive, AEC-Q101, E
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：Bulk
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：3
Конфигурация：Single
Каналов количество：2 Channel
Распад мощности：375
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：109mOhm @ 16.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3972 pF @ 100 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：173 nC @ 10 V
Время подъема：77 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 391

Итого $0.00000