Изображение служит лишь для справки
2SAR642PHZGT100
- Rohm Semiconductor
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-243AA
- TRANS PNP 30V 3A SOT89
- Date Sheet
Lagernummer 1020
- 1+: $1.06636
- 10+: $1.00600
- 100+: $0.94905
- 500+: $0.89533
- 1000+: $0.84466
Zwischensummenbetrag $1.06636
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-243AA
- Поставщик упаковки устройства:SOT-89
- Mfr:Rohm Semiconductor
- Состояние продукта:Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic):3 A
- MSL:MSL 1 - Unlimited
- Квалификация:AEC-Q101
- Полярность транзистора:PNP
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:6 V
- Распад мощности:500 mW
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:200 at- 500 mA, - 2 V
- Минимальная температура работы:-
- Пакетная партия производителя:1000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:240 MHz
- Производитель:ROHM Semiconductor
- Бренд:ROHM Semiconductor
- Максимальный постоянный ток сбора:3 A
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:500 at- 500 mA, - 2 V
- РХОС:Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:30 V
- Серия:-
- Рабочая температура:150°C (TJ)
- Пакетирование:Cut Tape
- Подкатегория:Transistors
- Технология:Si
- Конфигурация:Single
- Распад мощности:2W
- Мощность - Макс:500 mW
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора:PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:200 @ 500mA, 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1μA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:400mV @ 100mA, 2A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):30 V
- Частота перехода:240MHz
- Частота - Переход:240MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):30 V
- Прямоходящий ток коллектора:3A
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 1020
- 1+: $1.06636
- 10+: $1.00600
- 100+: $0.94905
- 500+: $0.89533
- 1000+: $0.84466
Итого $1.06636