TP65H015G5WS

Name: Transphorm TP65H015G5WS
Brand: Transphorm
Price: 26.1422127 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (10 reviews)

Transphorm
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-247-3
650 V 95 A GAN FET
Date Sheet

Lagernummer 902

1+： $26.14221
10+： $24.66246
100+： $23.26648
500+： $21.94951
1000+： $20.70708

Zwischensummenbetrag $26.14221

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-247-3
Поставщик упаковки устройства：TO-247-3
Mfr：Transphorm
Пакет：Tube
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：93A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：266W (Tc)
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
Время типичного задержки включения：78 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：276 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：30
Монтажные варианты：Through Hole
Режим канала：Enhancement
Производитель：Transphorm
Бренд：Transphorm
Зарядная характеристика ворот：68 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：18 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：132 ns
Id - Непрерывный ток разряда：95 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：Bulk
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：18mOhm @ 60A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4.8V @ 2mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5218 pF @ 400 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：100 nC @ 10 V
Время подъема：20 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 902

1+： $26.14221
10+： $24.66246
100+： $23.26648
500+： $21.94951
1000+： $20.70708

Итого $26.14221