TSM076NH04LDCR RLG

Name: Taiwan Semiconductor Corporation TSM076NH04LDCR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
Rating: 4.5 (15 reviews)

Taiwan Semiconductor Corporation
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-PowerTDFN
40V, 34A, DUAL N-CHANNEL POWER M
Date Sheet

Lagernummer 4999

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Поставщик упаковки устройства：8-PDFNU (5x6)
Mfr：Taiwan Semiconductor Corporation
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：14A (Ta), 34A (Tc)
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
Время типичного задержки включения：7.3 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.2 V
Распад мощности：55.6 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 16 V, + 16 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：2500
Монтажные варианты：SMD/SMT
Минимальная прямая транконductанс：133.3 S
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：TSM076NH04LDCR
Производитель：Taiwan Semiconductor
Бренд：Taiwan Semiconductor
Зарядная характеристика ворот：10.7 nC
Торговое наименование：PerFET
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：7.6 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：23.6 ns
Id - Непрерывный ток разряда：34 A
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Каналов количество：2 Channel
Мощность - Макс：55.6W (Tc)
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.6mOhm @ 17A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1344pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：22.4nC @ 10V
Время подъема：50.1 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：2 N-Channel
Характеристика ТРП：Standard
Категория продукта：MOSFET

Со склада 4999

Итого $0.00000