(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PXP015-30QLJ
Изображение служит лишь для справки
PXP015-30QLJ
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 6305
- 1+： $0.68381
- 10+： $0.64511
- 100+： $0.60859
- 500+： $0.57414
- 1000+： $0.54164
Zwischensummenbetrag $0.68381
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Поставщик упаковки устройства：MLPAK33
- Mfr：Nexperia USA Inc.
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A (Ta), 24.7A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：1.7W (Ta), 16W (Tc)
- MSL：-
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：12.8A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
- Распад мощности：4.2 W
- Полярность транзистора：P-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 25 V, + 25 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：24.6 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：22 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：12.8 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：4.2W
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：15.8mOhm @ 8.1A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1200 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：36.9 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：±25V
- Канальный тип：P Channel
- Характеристика ТРП：-
Со склада 6305
- 1+： $0.68381
- 10+： $0.64511
- 100+： $0.60859
- 500+： $0.57414
- 1000+： $0.54164
Итого $0.68381
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
