(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SISS588DN-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SISS588DN-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Date Sheet
Lagernummer 5418
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：16.9A (Ta), 58.1A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：7.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
- Число элементов на чипе：1
- Формат упаковки：PowerPAK 1212-8S
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：58.1A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：80 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
- Распад мощности：56.8 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：18.7 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：7.2 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：58.1 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Число контактов：8
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：56.8W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1380 pF @ 40 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：28.5 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：80 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
Со склада 5418
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
