SQA444CEJW-T1_GE3

Name: Vishay Siliconix SQA444CEJW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.7 (15 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Date Sheet

Lagernummer 547

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount, Wettable Flank
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：13.6W (Tc)
Число элементов на чипе：1
Формат упаковки：PowerPAK SC-70W-6L
Квалификация：AEC-Q101
Прямоходящий ток вывода Id：9A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
Время типичного задержки включения：8 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
Распад мощности：13.6 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Минимальная прямая транконductанс：17 S
Режим канала：Enhancement
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay Semiconductors
Зарядная характеристика ворот：6 nC
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：13 ns
Id - Непрерывный ток разряда：9 A
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：7
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：13.6W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：39mOhm @ 4.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：530 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9 nC @ 10 V
Время подъема：3 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 547

Итого $0.00000