(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RQ7L055BGTCR
Изображение служит лишь для справки
RQ7L055BGTCR
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SMD, Flat Lead
- NCH 60V 5.5A, TSMT8, POWER MOSFE
Date Sheet
Lagernummer 5521
- 1+： $0.76867
- 10+： $0.72516
- 100+： $0.68411
- 500+： $0.64539
- 1000+： $0.60886
Zwischensummenbetrag $0.76867
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SMD, Flat Lead
- Поставщик упаковки устройства：TSMT8
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5.5A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：1.1W (Ta)
- Формат упаковки：TSMT-8
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Распад мощности：1.5 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：7.6 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：29 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：5.5 A
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：29mOhm @ 5.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：460 pF @ 30 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7.6 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
Со склада 5521
- 1+： $0.76867
- 10+： $0.72516
- 100+： $0.68411
- 500+： $0.64539
- 1000+： $0.60886
Итого $0.76867
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
