(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIDR570EP-T1-RE3
Изображение служит лишь для справки
SIDR570EP-T1-RE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Date Sheet
Lagernummer 4800
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：30.8A (Ta), 90.9A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：7.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：7.5W (Ta), 150W (Tc)
- Формат упаковки：PowerPak SO-8DC
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：90.9A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：150 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
- Распад мощности：150 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：35.1 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：7.9 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：90.9 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Число контактов：8
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：150W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.9mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3740 pF @ 75 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：71 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：150 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
Со склада 4800
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
