(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HAT2203C-EL-E
Изображение служит лишь для справки
HAT2203C-EL-E
-
Renesas
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-SMD, Flat Leads
- HAT2203C-EL-E - SILICON N CHANNE
Date Sheet
Lagernummer 9947
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-SMD, Flat Leads
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：6-CMFPAK
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：Renesas
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Obsolete
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V, 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния：830mW (Ta)
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя：PWSF0006JA-A6
- Максимальная температура рефлоу：20
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：HAT2203C-EL-E
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.82
- Код упаковки компонента：CMFPAK
- Максимальный ток утечки (ID)：2 A
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C
- Код JESD-609：e6
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：6
- Код JESD-30：R-PDSO-F6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Название бренда：Renesas
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：90mOhm @ 1A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：165 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.8 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20 V
- Угол настройки (макс.)：±12V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：2 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.15 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.83 W
- Характеристика ТРП：-
Со склада 9947
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
