(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPB050N10NF2SATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPB050N10NF2SATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PG-TO263-3
- TRENCH >=100V
Date Sheet
Lagernummer 859
- 1+： $1.53008
- 10+： $1.44347
- 100+： $1.36177
- 500+： $1.28469
- 1000+： $1.21197
Zwischensummenbetrag $1.53008
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：PG-TO263-3
- Mfr：Infineon Technologies
- Состояние продукта：Active
- Пакетная партия производителя：800
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- РХОС：Details
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.2 V
- Распад мощности：150 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：51 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：5.05 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：103 A
- Серия：*
- Пакетирование：Cut Tape
- Каналов количество：1 Channel
- Категория продукта：Infineon
Со склада 859
- 1+： $1.53008
- 10+： $1.44347
- 100+： $1.36177
- 500+： $1.28469
- 1000+： $1.21197
Итого $1.53008
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
