(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные R8003KND3TL1
Изображение служит лишь для справки
R8003KND3TL1
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Date Sheet
Lagernummer 993
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства：TO-252
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：45W (Ta)
- Непрерывный ток стока：3(A)
- Дrain-Source On-Volt：800(V)
- Классификация Температурной Выносливости：Military
- Формат упаковки：DPAK
- Диапазон рабочей температуры：-55C to 150C
- Допустимый напряжений на затвор-исток：±20(V)
- Режим канала：Enhancement
- Количество элементов：1
- Квантовозащитный：No
- Монтаж：Surface Mount
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：800 V
- Время типичного задержки включения：15 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4.5 V
- Распад мощности：48 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：2500
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Зарядная характеристика ворот：11.5 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.8 Ohms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：45 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：3 A
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Пакетирование：Tape and Reel
- Тип：Power MOSFET
- Подкатегория：MOSFETs
- Число контактов：2 +Tab
- Направленность：N
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：48(W)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.8Ohm @ 1.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 2mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：300 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：11.5 nC @ 10 V
- Время подъема：15 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：800 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 993
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
