(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIDR622DP-T1-RE3
Изображение служит лишь для справки
SIDR622DP-T1-RE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 4757
- 1+： $2.60637
- 10+： $2.45884
- 100+： $2.31966
- 500+： $2.18836
- 1000+： $2.06449
Zwischensummenbetrag $2.60637
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：64.6A (Ta), 56.7A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：7.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：6.25W (Ta), 125W (Tc)
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：56.7A
- Пакетная партия производителя：3000
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay / Siliconix
- Торговое наименование：TrenchFET
- РХОС：Details
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Распад мощности：125W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：17.7mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1516 pF @ 75 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：41 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：150 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N Channel
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 4757
- 1+： $2.60637
- 10+： $2.45884
- 100+： $2.31966
- 500+： $2.18836
- 1000+： $2.06449
Итого $2.60637
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
