SI2399DS-T1-BE3

Name: Vishay Siliconix SI2399DS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.7 (9 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 1537

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поставщик упаковки устройства：SOT-23-3 (TO-236)
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5.1A (Ta), 6A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：20 V
Время типичного задержки включения：22 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.5 V
Распад мощности：2.5 W
Полярность транзистора：P-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 12 V, + 12 V
Вес единицы：0.000282 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：SI2399DS-T1-GE3
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：10 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：34 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：28 ns
Id - Непрерывный ток разряда：6 A
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：34mOhm @ 5.1A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：835 pF @ 10 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20 nC @ 4.5 V
Время подъема：20 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20 V
Угол настройки (макс.)：±12V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 P-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 1537

Итого $0.00000