IRFR214TRPBF-BE3

Name: Vishay Siliconix IRFR214TRPBF-BE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.9 (18 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
N-CHANNEL 250V
Date Sheet

Lagernummer 5986

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поставщик упаковки устройства：TO-252AA
Mfr：Vishay Siliconix
Пакет：Tape & Reel (TR)
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：2.5W (Ta), 25W (Tc)
Основной номер продукта：IRFR214
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：250 V
Время типичного задержки включения：7 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
Распад мощности：25 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：2000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Минимальная прямая транконductанс：0.8 S
Режим канала：Enhancement
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay Semiconductors
Зарядная характеристика ворот：8.2 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：2 Ohms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：16 ns
Id - Непрерывный ток разряда：2.2 A
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：Bulk
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2Ohm @ 1.3A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：140 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：8.2 nC @ 10 V
Время подъема：7.6 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：250 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 5986

Итого $0.00000