Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI4155DY-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SI4155DY-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
- Date Sheet
Lagernummer 2579
- 1+: $0.97751
- 10+: $0.92218
- 100+: $0.86998
- 500+: $0.82073
- 1000+: $0.77428
Zwischensummenbetrag $0.97751
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства:8-SOIC
- Mfr:Vishay Siliconix
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:10.2A (Ta), 13.6A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
- Основной номер продукта:SI4155
- Формат упаковки:SO-8
- MSL:MSL 1 - Unlimited
- Квалификация:-
- Прямоходящий ток вывода Id:13.6A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.5 V
- Распад мощности:2.5 W
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 25 V, + 25 V
- Минимальная температура работы:- 50 C
- Зарядная характеристика ворот:13.6 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:26 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:10.2 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Число контактов:8
- Распад мощности:4.5W
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:15mOhm @ 7A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1870 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:50 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30 V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Канальный тип:P
- Характеристика ТРП:-
Со склада 2579
- 1+: $0.97751
- 10+: $0.92218
- 100+: $0.86998
- 500+: $0.82073
- 1000+: $0.77428
Итого $0.97751