Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPTG044N15NM5ATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPTG044N15NM5ATMA1
- Infineon Technologies
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerSFN
- TRENCH >=100V
- Date Sheet
Lagernummer 205
- 1+: $2.50677
- 10+: $2.36487
- 100+: $2.23101
- 500+: $2.10473
- 1000+: $1.98559
Zwischensummenbetrag $2.50677
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerSFN
- Поставщик упаковки устройства:PG-HSOG-8
- Mfr:Infineon Technologies
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:19.4A (Ta), 174A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):8V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:3.8W (Ta), 300W (Tc)
- Пакетная партия производителя:1800
- Партийные обозначения:IPTG044N15NM5 SP005676948
- Производитель:Infineon
- Бренд:Infineon Technologies
- РХОС:Details
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование:MouseReel
- Подкатегория:MOSFETs
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:4.4mOhm @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4.6V @ 235μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:7000 pF @ 75 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:89 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):150 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип продукта:MOSFET
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 205
- 1+: $2.50677
- 10+: $2.36487
- 100+: $2.23101
- 500+: $2.10473
- 1000+: $1.98559
Итого $2.50677