(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NXH040P120MNF1PTG
Изображение служит лишь для справки
NXH040P120MNF1PTG
-
onsemi
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MO
Date Sheet
Lagernummer 34
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：Module
- Вид крепления：Chassis Mount
- Поставщик упаковки устройства：-
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：30A (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Пакет：Tray
- Mfr：onsemi
- Прямоходящий ток вывода Id：30A
- Обратное напряжение：1200 V
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 15 V, + 25 V
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Пакетная партия производителя：28
- Монтажные варианты：Press Fit
- Производитель：onsemi
- Бренд：onsemi
- Рабочая температура：-40°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Пакетирование：Tray
- Тип：Half Bridge Module
- Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
- Технология：SiC
- Распад мощности：74W
- Мощность - Макс：74W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual) Common Source
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：56mOhm @ 25A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.3V @ 10mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1505pF @ 800V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：122.1nC @ 20V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V (1.2kV)
- Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Канальный тип：Dual N Channel
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Продукт：Power MOSFET Modules
- Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules
Со склада 34
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
