2SK2196

Name: Shindengen 2SK2196
Brand: Shindengen
Rating: 4.7 (6 reviews)

Shindengen
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MTO-3P, 3 PIN
Date Sheet

Lagernummer 440

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Уровни чувствительности к влажности：2
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：2SK2196
Время включения макс. (ton)：135 ns
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO LTD
Время отключения макс. (toff)：340 ns
Ранг риска：5.88
Код упаковки компонента：TO-3P
Максимальный ток утечки (ID)：20 A
Код JESD-609：e0
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Подкатегория：FET General Purpose Power
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：240
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Максимальный сливовой ток (ID)：20 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.35 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：60 A
Минимальная напряжённость разрушения：500 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：125 W
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：125 W

Со склада 440

Итого $0.00000