(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2N7002E-E3
Изображение служит лишь для справки
2N7002E-E3
-
Vishay / Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- TRANSISTOR 240 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：40
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：2N7002E-E3
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Vishay Siliconix
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：VISHAY SILICONIX
- Ранг риска：5.04
- Код упаковки компонента：SOT-23
- Максимальный ток утечки (ID)：0.24 A
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-236
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.25 A
- Сопротивление открытого канала-макс：3 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.35 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
