(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDD6512A
Изображение служит лишь для справки
FDD6512A
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Power Field-Effect Transistor, 10.7A I(D), 20V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
Date Sheet
Lagernummer 2500
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства：TO-252, (D-Pak)
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10.7A (Ta), 36A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V, 4.5V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：3.8W (Ta), 43W (Tc)
- Состояние продукта：Obsolete
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：PowerTrench®
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：21mOhm @ 10.7A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1082 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：19 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20 V
- Угол настройки (макс.)：±12V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 2500
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
