(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF5NJ5305SCV
Изображение служит лишь для справки
IRF5NJ5305SCV
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD0.5, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
- Форма упаковки：CHIP CARRIER
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Артикул Производителя：IRF5NJ5305SCV
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.71
- Максимальный ток утечки (ID)：22 A
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：NO LEAD
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-CBCC-N3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.065 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：88 A
- Минимальная напряжённость разрушения：55 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：160 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
