Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUK662R4-40C
Изображение служит лишь для справки
BUK662R4-40C
-
NXP USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 120A, 40V, 0.0038ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：2
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：PLASTIC, D2PAK-3
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：30
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：BUK662R4-40C
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：NXP Semiconductors
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：NXP SEMICONDUCTORS
- Risk Rank：5.76
- Drain Current-Max (ID)：120 A
- JESD-609 Code：e3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：TIN
- Additional Feature：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：245
- Reach Compliance Code：unknown
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Drain-source On Resistance-Max：0.0038 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：914 A
- DS Breakdown Voltage-Min：40 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：637 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты