Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FQAF7N90
Изображение служит лишь для справки
FQAF7N90
- Fairchild Semiconductor
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-3P-3 Full Pack
- Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 900V, 1.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN
- Date Sheet
Lagernummer 157
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type:Through Hole
- Package / Case:TO-3P-3 Full Pack
- Supplier Device Package:TO-3PF
- Package:Tube
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:5.2A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
- Mfr:Fairchild Semiconductor
- Power Dissipation (Max):107W (Tc)
- Product Status:Obsolete
- Operating Temperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series:QFET®
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type:N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.55Ohm @ 2.6A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:2280 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:59 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss):900 V
- Vgs (Max):±30V
- FET Feature:-
Со склада 157
Итого $0.00000