(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FQAF7N90
Изображение служит лишь для справки
FQAF7N90
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-3P-3 Full Pack
- Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 900V, 1.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 157
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-3P-3 Full Pack
- Поставщик упаковки устройства：TO-3PF
- Пакет：Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5.2A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：107W (Tc)
- Состояние продукта：Obsolete
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：QFET®
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.55Ohm @ 2.6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2280 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：59 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：900 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 157
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
