Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFS510A
Изображение служит лишь для справки






Lagernummer 343
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:TO-220F, 3 PIN
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Уровни чувствительности к влажности:NOT APPLICABLE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT APPLICABLE
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:IRFS510A
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Rochester Electronics LLC
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска:5.39
- Код упаковки компонента:TO-220F
- Максимальный ток утечки (ID):4.5 A
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT APPLICABLE
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:COMMERCIAL
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.4 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:20 A
- Минимальная напряжённость разрушения:100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):54 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 343
Итого $0.00000