Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MMFT2955ET1
Изображение служит лишь для справки
MMFT2955ET1
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 1200mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA, CASE 318E-04, 4 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：4
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：CASE 318E-04, 4 PIN
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Moisture Sensitivity Levels：3
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Manufacturer Package Code：CASE 318E-04
- Reflow Temperature-Max (s)：30
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：No
- Manufacturer Part Number：MMFT2955ET1
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：ON Semiconductor
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：ON SEMICONDUCTOR
- Risk Rank：7.93
- Part Package Code：TO-261AA
- Drain Current-Max (ID)：1.2 A
- JESD-609 Code：e0
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Additional Feature：AVALANCHE RATED
- Subcategory：Other Transistors
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：245
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Pin Count：4
- JESD-30 Code：R-PDSO-G4
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：P-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-261AA
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：1.2 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.3 Ω
- DS Breakdown Voltage-Min：60 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：0.8 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты