JAN2N5303

Name: Microchip JAN2N5303
Brand: Microchip
Rating: 4.7 (14 reviews)

Microchip
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-3-2
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Date Sheet

Lagernummer 2808

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-3-2
Вид крепления：Through Hole
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-3
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：N
Монтажные варианты：Through Hole
Полярность транзистора：NPN
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：80 V
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
Распад мощности：5 W
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Минимальная температура работы：- 65 C
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：40
Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：60
Пакетная партия производителя：1
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：10 µA
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Описание пакета：SIMILAR TO TO-3, 2 PIN
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：No
Артикул Производителя：JAN2N5303
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.22
Код упаковки компонента：TO-204AA
Пакетирование：Tray
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：Military, MIL-PRF-19500/456
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：PIN/PEG
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：2
Нормативная Марка：MIL-19500/456D
Код JESD-30：O-MBFM-P2
Квалификационный Статус：Qualified
Конфигурация：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Мощность - Макс：20 W
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：15 @ 10A, 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10µA
Код JEDEC-95：TO-3
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：650mV @ 5mA, 100mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：60 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80 V
Максимальный ток коллектора (IC)：20 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：5
Прямоходящий ток коллектора：20 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：80 V

Со склада 2808

Итого $0.00000