Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT75F50B2
Изображение служит лишь для справки
APT75F50B2
- Microchip Technology
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- T-MAX-3
- MOSFET FG, FREDFET, 500V, TO-247 T-MAXView in Development Tools Selector
- Date Sheet
Lagernummer 23
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 2 months ago)
- Корпус / Кейс:T-MAX-3
- Вид крепления:Through Hole
- Монтаж:Through Hole
- Количество контактов:3
- Поставщик упаковки устройства:T-MAX™ [B2]
- РХОС:Details
- Монтажные варианты:Through Hole
- Полярность транзистора:N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:500 V
- Id - Непрерывный ток разряда:75 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:75 mOhms
- Усв:- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:4 V
- Зарядная характеристика ворот:290 nC
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Распад мощности:1.04 kW
- Режим канала:Enhancement
- Минимальная прямая транконductанс:55 S
- Пакетная партия производителя:1
- Время задержки отключения типичного:120 ns
- Время типичного задержки включения:45 ns
- Вес единицы:0.208116 oz
- Пакет:Tube
- Основной номер продукта:APT75F50
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:75A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Mfr:Microchip Technology
- Максимальная мощность рассеяния:1040W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Количество элементов:1
- Время отключения:120 ns
- Пакетирование:Tube
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:POWER MOS 8™
- Максимальная рабочая температура:150 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Максимальная потеря мощности:1.04 kW
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:1.04 kW
- Время задержки включения:45 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:75mOhm @ 37A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 2.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:11600 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:290 nC @ 10 V
- Время подъема:55 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):500 V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Непрерывный ток стока (ID):75 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):30 V
- Входной ёмкости:11.6 nF
- Характеристика ТРП:-
- Rds на макс.:75 mΩ
- Корпусировка на излучение:No
Со склада 23
Итого $0.00000