Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IQE006NE2LM5SCATMA1
Изображение служит лишь для справки
IQE006NE2LM5SCATMA1
Lagernummer 4825
- 1+: $1.18860
- 10+: $1.12132
- 100+: $1.05785
- 500+: $0.99797
- 1000+: $0.94148
Zwischensummenbetrag $1.18860
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:PG-WHSON-8
- Вид крепления:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:PG-WHSON-8-1
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Полярность транзистора:N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:25 V
- Id - Непрерывный ток разряда:47 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:580 uOhms
- Усв:- 16 V, + 16 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2 V
- Зарядная характеристика ворот:82 nC
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Распад мощности:2.1 W
- Режим канала:Enhancement
- Минимальная прямая транконductанс:260 S
- Пакетная партия производителя:6000
- Время задержки отключения типичного:27 ns
- Время типичного задержки включения:5.3 ns
- Партийные обозначения:IQE006NE2LM5SC SP005419117
- Пакет:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:47A (Ta), 310A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Mfr:Infineon Technologies
- Максимальная мощность рассеяния:2.1W (Ta), 89W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:OptiMOS™ 5
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:580mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:5453 pF @ 12 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:82 nC @ 10 V
- Время подъема:2.6 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):25 V
- Угол настройки (макс.):±16V
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Характеристика ТРП:-
Со склада 4825
- 1+: $1.18860
- 10+: $1.12132
- 100+: $1.05785
- 500+: $0.99797
- 1000+: $0.94148
Итого $1.18860