NVMFWS9D6P04M8LT1G

Name: ON Semiconductor NVMFWS9D6P04M8LT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (15 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
SO-8FL
MOSFET MV8 P-CH 40V SO-8FL PORTFOLIO EXPANSION
Date Sheet

Lagernummer 3429

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：SO-8FL
Вид крепления：Surface Mount, Wettable Flank
Поставщик упаковки устройства：5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Монтажные варианты：SMD/SMT
Полярность транзистора：P-Channel
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
Id - Непрерывный ток разряда：77 A
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：9.5 mOhms
Усв：- 20 V, + 20 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.4 V
Зарядная характеристика ворот：15.04 nC
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Распад мощности：75 W
Режим канала：Enhancement
Минимальная прямая транконductанс：36 S
Пакетная партия производителя：1500
Время задержки отключения типичного：83.3 ns
Время типичного задержки включения：13.1 ns
Состояние продукта：Active
Пакет：Tape & Reel (TR)
Основной номер продукта：NVMFWS9
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：17.1A (Ta), 77A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Mfr：onsemi
Максимальная мощность рассеяния：3.7W (Ta), 75W (Tc)
Серия：NVMFS9D6P04M8L
Пакетирование：Reel
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9.5mOhm @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 580µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2002 pF @ 20 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：14.47 nC @ 10 V
Время подъема：103 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Характеристика ТРП：-

Со склада 3429

Итого $0.00000