(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFA7N100P
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 196
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：HiperFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：1000
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：7
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：47@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：47
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：2590@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：300000
- Время падения типового (ns)：44
- Время подъема типового сигнала (нс)：49
- Время задержки отключения типовая (сек)：42
- Время задержки включения типового (ns)：25
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Форма вывода：Gull-wing
- Поставщикская упаковка：D2PAK
- Стандартное наименование упаковки：TO-263
- Tab：Tab
- Плата изменена：2
- Длина корпуса：10.41(Max)
- Ширина пакета：9.4(Max)
- Высота корпуса：4.83(Max)
- Монтаж：Surface Mount
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 196
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
