(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXFT70N30Q3
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 9
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- СВХК：Yes
- Превышает Порог SVHC：Yes
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：HiperFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：300
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В)：6
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：70
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА)：100
- Максимальный стоковый ток (мкА)：10
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：98@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：98
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：4735@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：830000
- Время падения типового (ns)：9
- Время подъема типового сигнала (нс)：14
- Время задержки отключения типовая (сек)：38
- Время задержки включения типового (ns)：33
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：5.1(Max)
- Ширина пакета：14(Max)
- Длина корпуса：16.05(Max)
- Плата изменена：2
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-268
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 9
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
