(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTH300N04T2
Изображение служит лишь для справки
IXTH300N04T2
Lagernummer 21
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- СВХК：Yes
- Превышает Порог SVHC：Yes
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：TrenchFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：40
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В)：4
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：300
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА)：200
- Максимальный стоковый ток (мкА)：5
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：145@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：145
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：10700@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：480000
- Время падения типового (ns)：13
- Время подъема типового сигнала (нс)：17
- Время задержки отключения типовая (сек)：32
- Время задержки включения типового (ns)：22
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：175
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：21.46(Max)
- Ширина пакета：5.3(Max)
- Длина корпуса：16.26(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-247AD
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
- Полярность транзистора：N-Channel
- Монтажные варианты：Through Hole
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：2.5 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：300 A
- Состояние изделия：Active
- Технология：Si
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 21
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
