(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTH110N25T
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 508
- 1+： $7.85329
- 10+： $7.40876
- 100+： $6.98940
- 500+： $6.59377
- 1000+： $6.22054
Zwischensummenbetrag $7.85329
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- HTS：8541.29.00.95
- СВХК：Yes
- Превышает Порог SVHC：Yes
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：TrenchFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：250
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В)：5
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：110
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА)：200
- Максимальный стоковый ток (мкА)：5
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：157@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：157
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：9400@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：694000
- Время падения типового (ns)：27
- Время подъема типового сигнала (нс)：27
- Время задержки отключения типовая (сек)：60
- Время задержки включения типового (ns)：19
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：21.46(Max)
- Ширина пакета：5.3(Max)
- Длина корпуса：16.26(Max)
- Плата изменена：3
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：TO-247AD
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：110A
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：694W
- Канальный тип：N
Со склада 508
- 1+： $7.85329
- 10+： $7.40876
- 100+： $6.98940
- 500+： $6.59377
- 1000+： $6.22054
Итого $7.85329
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
