(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTN90P20P
Изображение служит лишь для справки
IXTN90P20P
Lagernummer 363
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOT-227B
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：200
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：90
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：205@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：205
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：12000@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：890000
- Время падения типового (ns)：28
- Время подъема типового сигнала (нс)：60
- Время задержки отключения типовая (сек)：89
- Время задержки включения типового (ns)：32
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Screw
- Ширина пакета：25.42(Max)
- Длина корпуса：38.23(Max)
- Плата изменена：4
- Поставщикская упаковка：SOT-227B
- Обратное напряжение：100 V
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：Chassis Mount
- Состояние изделия：Active
- Тип：Polar Power MOSFET
- Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
- Технология：Si
- Число контактов：4
- Конфигурация：Single Dual Source
- Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Канальный тип：P
- Продукт：Power MOSFET Modules
Со склада 363
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
