(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTY1R4N120P
Изображение служит лишь для справки
IXTY1R4N120P
Lagernummer 293
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-252-3
- Евро РОШ：Compliant
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：Polar
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：1200
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±30
- Максимальное напряжение порога транзисторного ключа (В)：4.5
- Температурный диапазон работы (°C)：150
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：1.4
- Максимальный стоковый ток через затвор (нА)：100
- Максимальный стоковый ток (мкА)：5
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：24.8@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：24.8
- Типовая зарядка канала к земле (нК)：12.8
- Характеристическое зарядное напряжение (нК)：4.4
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：666@25V
- Характеристическое обратное передача ёмкость @ Vds (пФ)：7.6@25V
- Минимальное напряжение порога транзистора (В)：2.5
- Характеристическая емкость вывода (пФ)：36
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：86000
- Время падения типового (ns)：29
- Время подъема типового сигнала (нс)：27
- Время задержки отключения типовая (сек)：78
- Время задержки включения типового (ns)：25
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Максимальное напряжение источника положительного затвора (В)：30
- Максимальный импульсный ток утечки @ TC=25°C (А)：3
- Типовая напряжённость плато канала (В)：4.75
- Время обратной рекомпенсации типовая (нс)：900
- Максимальное напряжение обратной связи диода (В)：1.5
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：2.4(Max)
- Ширина пакета：6.22(Max)
- Длина корпуса：6.73(Max)
- Плата изменена：2
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：DPAK
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1.2 kV
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4.5 V
- Распад мощности：86 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Зарядная характеристика ворот：24.8 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：15 Ohms
- Id - Непрерывный ток разряда：1.4 A
- Состояние изделия：Active
- Технология：Si
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Канальный тип：N
Со склада 293
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
