(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы BSS131E6327XT
Изображение служит лишь для справки
BSS131E6327XT
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- HTS：8541.21.00.95
- Автомобильные：Yes
- Пакет подготовки для производства：Unknown
- Категория：Small Signal
- Технология производства：SIPMOS
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：240
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：0.11
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：2.1@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：2.1
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：58@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：360
- Время падения типового (ns)：64.5
- Время подъема типового сигнала (нс)：3.1
- Время задержки отключения типовая (сек)：13.7
- Время задержки включения типового (ns)：3.3
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：1(Max)
- Ширина пакета：1.3
- Длина корпуса：2.9
- Плата изменена：3
- Стандартное наименование упаковки：SOT
- Поставщикская упаковка：SOT-23
- Форма вывода：Gull-wing
- Пакетирование：Tape and Reel
- Состояние изделия：Obsolete
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
