Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Материал：Silicon
- Евро РОШ：Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Тип фототранзистора：Phototransistor
- Форма линзы：Domed
- Каналов на чипе：1
- Угол половины интенсивности градусы：80
- Ориентация просмотра：Top View
- Максимальная длина волны (нм)：870
- Фильтр отсечения：Visible Cut-off
- Максимальный ток коллектора (мА)：50
- Максимальный ток темного заряда (нА)：200
- Максимальное напряжение эмиттер-коллекторное (В)：7
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия (В)：70
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：200
- Технология производства：NPN Transistor
- Минимальная температура работы (°C)：-40
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：100
- Монтаж：Through Hole
- Высота корпуса：6.9(Max)
- Плата изменена：2
- Поставщикская упаковка：T-1 3/4
- Форма вывода：Through Hole
- Состояние изделия：Active
- Тип：IR Chip
- Число контактов：2
- Направленность：NPN
- Диаметр：5.9(Max)
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты