Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PMZB290UNE,315
Изображение служит лишь для справки
PMZB290UNE,315
- NXP
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-101, SOT-883
- MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Free Hanging (In-Line)
- Корпус / Кейс:SC-101, SOT-883
- Монтажная особенность:--
- Форма контакта:Circular
- Материал корпуса:Aluminum Alloy
- Поставщик упаковки устройства:DFN1006B-3
- Материал вставки:--
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS:--
- Размеры контактов:12
- Пакет:Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:1A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.8V, 4.5V
- Mfr:NXP USA Inc.
- Максимальная мощность рассеяния:360mW (Ta), 2.7W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Рабочая температура:-65°C ~ 175°C
- Серия:Military, MIL-DTL-38999 Series II, JT
- Пакетирование:Bulk
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):--
- Тип соединителя:Plug Housing
- Тип:For Male Pins
- Количество должностей:9
- Способ крепления:Bayonet Lock
- Тип контакта:Crimp
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Ориентация:N (Normal)
- Экранирование:Unshielded
- Защита от проникновения:Environment Resistant
- Облицовка:Cadmium over Nickel
- Размер корпуса - вставка:18-96
- Корпусная окраска:Olive Drab
- Замечание:Contacts Not Included
- Размер корпуса, MIL:--
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:380mOhm @ 500mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:950mV @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:83 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:0.68 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):20 V
- Угол настройки (макс.):±8V
- Включает:--
- Характеристика ТРП:-
- Характеристики:Coupling Nut
- Рейтинг горючести материала:--
Со склада 0
Итого $0.00000