(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PJP10NA65_T0_00001
Изображение служит лишь для справки
PJP10NA65_T0_00001
-
Panjit
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- 650V N-CHANNEL MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Free Hanging (In-Line)
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Монтажная особенность：--
- Форма контакта：Circular
- Материал корпуса：Aluminum
- Поставщик упаковки устройства：TO-220AB
- Материал вставки：--
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：--
- Размеры контактов：20
- Пакет：Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Panjit International Inc.
- Максимальная мощность рассеяния：156W (Tc)
- Состояние продукта：Obsolete
- Рабочая температура：-65°C ~ 200°C
- Серия：Military, MIL-DTL-26482 Series II
- Пакетирование：Bulk
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：--
- Тип соединителя：Receptacle Housing
- Тип：For Female Sockets
- Количество должностей：24
- Способ крепления：Bayonet Lock
- Тип контакта：Crimp
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Ориентация：Y
- Экранирование：Unshielded
- Защита от проникновения：Environment Resistant
- Облицовка：Electroless Nickel
- Размер корпуса - вставка：20-24
- Корпусная окраска：Silver
- Замечание：Contacts Not Included
- Размер корпуса, MIL：--
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1Ohm @ 5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1200 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Включает：--
- Характеристика ТРП：-
- Характеристики：--
- Рейтинг горючести материала：--
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
