(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FQB19N20TM
Изображение служит лишь для справки
FQB19N20TM
-
Fairchild
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- Radial
- MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 14332
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：Radial
- Поставщик упаковки устройства：D2PAK (TO-263)
- Материал диэлектрика：Polypropylene (PP), Metallized
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：--
- Номинальное напряжение DC：1000V (1kV)
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：19.4A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：3.13W (Ta), 140W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 110°C
- Серия：MKP385
- Пакетирование：Bulk
- Размер / Размерность：0.394 L x 0.118 W (10.00mm x 3.00mm)
- Допуск：±5%
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：--
- Завершение：PC Pins
- Применение：DC Link, DC Filtering; High Frequency, Switching; High Pulse, DV/DT
- Капацитивность：1100pF
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Расстояние между выводами：0.295 (7.50mm)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：150mOhm @ 9.7A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1600 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：40 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：200 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Характеристика ТРП：-
- Характеристики：--
- Высота сидения (макс.)：0.315 (8.00mm)
- Оценки：--
Со склада 14332
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
