(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSP320S L6433
Изображение служит лишь для справки
BSP320S L6433
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-261-4, TO-261AA
- MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
Date Sheet
Lagernummer 8781
- 1+： $0.20139
- 10+： $0.18999
- 100+： $0.17923
- 500+： $0.16909
- 1000+： $0.15952
Zwischensummenbetrag $0.20139
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
- Вид крепления：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：4
- Поставщик упаковки устройства：PG-SOT223-4-21
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：1
- РХОС：Compliant
- Время отключения：25 ns
- Пакет：Retail Package
- Mfr：Glenair
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.9A (Tj)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：1.8W (Ta)
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：40
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BSP320SL6433
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.64
- Максимальный ток утечки (ID)：2.9 A
- Пакетирование：Tape and Reel
- Серия：*
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Максимальная потеря мощности：41 W
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：1.8 W
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：120mOhm @ 2.9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 20µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：340 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12 nC @ 10 V
- Время подъема：25 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：2.9 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20 V
- Максимальный сливовой ток (ID)：2.9 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.12 Ω
- Напряжение пробоя стока к истоку：60 V
- Максимальный импульсный ток вывода：11.6 A
- Входной ёмкости：1.43 nF
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：60 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1.8 W
- Характеристика ТРП：-
- Сопротивление стока к истоку：120 mΩ
- Rds на макс.：9.3 mΩ
Со склада 8781
- 1+： $0.20139
- 10+： $0.18999
- 100+： $0.17923
- 500+： $0.16909
- 1000+： $0.15952
Итого $0.20139
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
